MT4A1G8WE-083E AAT:B TR
विनिर्देश
तकनीकी ::
एसडीआरएएम - डीडीआर4
उत्पाद श्रेणी ::
मेमोरी आईसी
मेमोरी प्रकार::
परिवर्तनशील
फ़ैक्टरी स्टॉक::
0
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ ::
-
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज::
78-एफबीजीए (8x12)
पहूंच समय ::
-
मेमोरी प्रारूप::
घूंट
भाग की स्थिति::
सक्रिय
मेमोरी का आकार ::
8जीबी (1जी x 8)
पैकेजिंग::
टेप और रील (TR)
@मात्रा ::
0
परिचालन तापमान ::
-40 डिग्री सेल्सियस ~ 105 डिग्री सेल्सियस (टीसी)
न्यूनतम मात्रा ::
2000
मेमोरी इंटरफ़ेस::
समानांतर
पैकेज/केस ::
78-टीएफबीजीए
माउन्टिंग का प्रकार ::
सतह माउंट
घड़ी की आवृत्ति ::
1.2 गीगाहर्ट्ज़
वोल्टेज आपूर्ति ::
1.14 वी ~ 1.26 वी
शृंखला ::
-
निर्माता::
माइक्रोन प्रौद्योगिकी
परिचय
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR,Micron Technology से,मेमोरी आईसी है।हम जो पेशकश करते हैं,उसकी वैश्विक बाजार में प्रतिस्पर्धी कीमत है,जो मूल और नए भागों में हैं।यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या कम कीमत लागू करना चाहते हैं, कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट के माध्यम से या हमें एक उद्धरण भेजें!
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