STB5N80K5
निर्माता:
एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स
विवरण:
एन-चैनल 800 वी, 1.50 ओएचएम प्रकार,
श्रेणी:
अर्धचालक
विनिर्देश
उत्पाद श्रेणी ::
MOSFET
वीजीएस (अधिकतम)::
± 30 वी
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25°C ::
4ए (टीसी)
@मात्रा ::
0
एफईटी प्रकार::
n- चैनल
माउन्टिंग का प्रकार ::
सतह माउंट
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस::
5nC @ 10V
निर्माता::
एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स
न्यूनतम मात्रा ::
1000
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)::
10 वी
फ़ैक्टरी स्टॉक::
0
परिचालन तापमान ::
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
एफईटी फ़ीचर::
-
शृंखला ::
एमडीएमश™
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस::
177pF @ 100V
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज::
D2PAK
भाग की स्थिति::
सक्रिय
पैकेजिंग::
टेप और रील (TR)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस::
1.75 ओम @ 2 ए, 10 वोल्ट
बिजली अपव्यय (अधिकतम)::
60W (टीसी)
पैकेज/केस ::
TO-263-3, D²Pak (2 लीड + टैब), TO-263AB
तकनीकी ::
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी::
5V @ 100µA
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)::
800 वी
परिचय
एसटीएम माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स का एसटीबी5एन80के5 एमओएसएफईटी है। हम वैश्विक बाजार में प्रतिस्पर्धी मूल्य प्रदान करते हैं, जो मूल और नए भागों में हैं।यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या कम कीमत लागू करना चाहते हैं, कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट के माध्यम से या हमें एक उद्धरण भेजें!
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